北京落木源精耕高压IGBT驱动技术

随着功率半导体技术的发展,IGBT的耐压等级已经从1200V、1700V发展到了3300V、4500V乃至6500V。目前,高压IGBT制造技术在国际上已比较成熟,但高端技术仍由国外垄断,产品性价比不高,国内应用尚处起步阶段。