摘要
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差。
A series of transition films from amorphous to microcrystalline silicon was successfully prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition（VHF-PECVD）.Effects of gas pressure on the microstructure,photoelectric and transport properties of the films were investigated.The results indicate that increase of gas pressure improve the photosensitivity and deposition rate,while the order degree of the microstructure and transport properties get worse.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期1489-1491,共3页
Journal of Functional Materials
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2011YYL006)
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202604)
中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金资助项目(KLSMS-0907)
关键词
相变域硅薄膜
微结构
光电特性
输运特性
phase transition silicon films
microstructure
photoelectric properties
transport properties
