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Analytical-Numerical Model for the Cut off Frequency of AIGaNIGaN High Electron Mobility Transistors

Analytical-Numerical Model for the Cut off Frequency of AIGaNIGaN High Electron Mobility Transistors
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机构地区 Department of Physics
出处 《材料科学与工程(中英文B版)》 2011年第2期190-199,共10页 Journal of Materials Science and Engineering B
关键词 高电子迁移率晶体管 数值模型 频率分析 数值分析模型 电压特性 截止频率 泊松方程 电子陷阱 AIGaN/GaN, cut off frequency, transconductance, temperature.
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