低温烧结SiC基陶瓷制造技术

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摘要众所周知SiC共价键极强及扩散率很低，其烧结致密很难，必须借助添加剂才能在较低温度（约为1800℃）烧制高密度SiC陶瓷．西安工业大学采用Sol—Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂，

作者苗静

出处《西安工业大学学报》 CAS 2011年第4期403-403,共1页 Journal of Xi’an Technological University

关键词 SIC颗粒 SIC陶瓷低温烧结制造技术亚微米级工业大学添加剂扩散率

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西安工业大学学报

2011年第4期

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