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发展中的GaN微电子(二) 被引量：3

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摘要 2.1可靠性研究的进展 在半绝缘SiC衬底上形成的GaNHEMT器件在高功率密度、高压工作、高的二维电子器浓度和高导热等方面均比GaAs有优势,但由于本征的材料与二维电子器形成所独有的特性也同时使它面临和GaAs不一样的、独具特色的,
作者 赵正平
机构地区 中国电子科技集团公司
出处 《中国电子科学研究院学报》 2011年第4期353-357,共5页 Journal of China Academy of Electronics and Information Technology
关键词 GAN 微电子 HEMT器件 GAAS 二维电子 高功率密度 可靠性 SiC
分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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引证文献3

二级引证文献15

中国电子科学研究院学报
2011年 第4期

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