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SiB437EDKT：P沟道TrenchFET功率MOSFET

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摘要 VishayIntertechnology推出占位面积为1．6mm×1．6mm、高度小于0．8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。
出处 《世界电子元器件》 2011年第9期38-38,共1页 Global Electronics China
关键词 功率MOSFET P沟道 SiB437EDKT 电子元件
分类号 TN602 [电子电信—电路与系统]
  • 相关文献
世界电子元器件
2011年 第9期

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