期刊文献+

专栏评述

下载PDF
导出
摘要 评《脉冲控制忆阻模拟存储器》 1971年,美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授从理论上预言了忆阻器的存在,并推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然。虽然这一预测提出已近40年,但一直无人能证实这一现象的存在。
作者 李绍荣
出处 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期641-641,共1页 Journal of University of Electronic Science and Technology of China
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部