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摘要
评《脉冲控制忆阻模拟存储器》 1971年,美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授从理论上预言了忆阻器的存在,并推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然。虽然这一预测提出已近40年,但一直无人能证实这一现象的存在。
作者
李绍荣
机构地区
电子科技大学光电技术工程中心
中国兵工学会光学专业委员会
《光学技术》杂志
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期641-641,共1页
Journal of University of Electronic Science and Technology of China
关键词
美国加州大学
模拟存储器
华裔科学家
脉冲控制
记忆能力
中断
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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电子科技大学学报
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