期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

媲美DDR4：三星开发1．25V超低压DDR3内存

下载PDF

导出

摘要三星电子今天宣布已经成功开发出电压只有1．25V的绿色版DDR3RDIMM内存条，而标准版DDR3的电压为1．5V，低压版也有1．35V。

出处《黑龙江科技信息》 2011年第29期I0003-I0004,共2页 Heilongjiang Science and Technology Information

关键词三星电子超低压内存条开发标准版电压

分类号 TP333.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

1Cheryl Ajluni,范东华.超低压压力传感器开拓新应用领域[J].电子产品世界,1997,4(2):92-93.
2研扬升级嵌入式主板——PCM-6892 Rev．B[J].世界仪表与自动化,2005,9(1):72-72.
3新款MacBook Air跑分公布性能稍有提升[J].信息与电脑（理论版）,2014,0(3):17-17.
4要轻薄更要性能 ACER Aspire 3830TG笔记本[J].电脑爱好者,2011(13):102-102.
5英特尔蓝图大曝光 65纳米赛扬M 4XX系列[J].数码时代,2006(3):10-10.
6霍尼韦尔再次升级其低压硅压力传感器产品[J].世界电子元器件,2009(11):46-46.
7孙定浩.SMI硅微结构超低压力传感器[J].世界电子元器件,1997(4):45-47.
8健圣：免费正餐要来了[J].电脑爱好者,2013(5):85-85.
9艾讯科技面向车载推出低功耗ECX单板计算机[J].测控技术,2006,25(1):80-80.
10霍尼韦尔推出新型超低压硅压力传感器[J].软件,2009,30(12):15-15.

黑龙江科技信息

2011年第29期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部