薄膜太阳电池系列讲座(5) 碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(下)
摘要
图4碲化镉薄膜的生长条件除了氩气压强在2．5～50mTorr范围内变化外，其他沉积条件都保持一样。从图中可以看到：（1）所有薄膜在沉积初期（体层1～2nm厚）都有相对较厚的表面粗糙层。这时沉积下来的碲化镉容易聚成“岛”状而不是平铺成层状，“岛”的高度随氩气压强增加而单调增加；（2）体层厚度2～10nm之间，上述分离的岛状沉积体扩大后相互接触，底部变成了连贯的体层，因此表面粗糙层厚度降低；
出处
《太阳能》
2011年第19期10-11,16,共3页
Solar Energy
参考文献13
-
1Green M A, Emery K, Hishikawa Y, et al. Solar cell efficiency tables(version 37)[J]. Progress in Photovoltaics: Research andApplications, 2011, 19(1): 84 - 92.
-
2Avrutin V, Izyumskaya N, Morkoq H. Semiconductor solar cells: Recent progress in terrestrial applications [J].Superlattices and Microstructures, 2011, 49(4): 337 - 364.
-
3Antonio Luque, Steven Hegedus. Handbook of Photovoltaic Sci- ence and Engineering[M]. John Wiley & Sons Ltd, 2003:617 - 662.
-
4Henry C H. Limiting efficiencies of ideal single and multiple energy gap terrestrial solar cells[J]. Journal of Applied Physics, 1980, 51(8): 4494 - 4500.
-
5Chelikowsky J R,Cohen M L. Nonlocal pseudopotential calcula- tions for the electronic structure of eleven diamond and zinc-blende semiconductors[J]. Physical Review B, 1976, 14(2): 556 - 582.
-
6Tompkins H G, Irene E A. Handbook of Ellipsometry[M]. NY: William Andrew Publishing, 2005:2 - 91, 93 - 235,481 - 566.
-
7Pollak F H, Cardona M. Piezo-Electroreftectance in Ge, GaAs, and Si[J]. Physical Review, 1968, 172(3): 816 - 837.
-
8Czyzyk M T, Podgorny M. Energy bands and optical properties of HgTe and CdTe calculated on the basis of the tight-binding modelwith spin-orbit interaction [J]. Physica status solidi (b), 1980, 98(2): 507 - 516.
-
9Wu Xuanzhi. High-efficiency polycrystalline CdTe thin-film solar cells[J]. Solar Energy, 2004 77(6): 803 - 814.
-
10Stoke J A, Podraza N J, Li Jian, et al. Advanced deposition phase diagrams for guiding Si:H-based multijunction solar cells[J]. Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, 354(19-25): 2435 - 2439.
-
1孙晓红,张琳,李文阳,郭敏强.基于光栅结构的碲化镉太阳能电池吸收层设计[J].郑州大学学报（工学版）,2016,37(2):92-96.
-
2徐永年,陆栋.CdTe的能带与光学特性的研究[J].物理学报,1993,42(3):477-481. 被引量：1
-
3武莉莉,冯良桓,蔡伟,张静全,蔡亚平,郑家贵,朱居木,陈诺夫.近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱[J].Journal of Semiconductors,2003,24(8):827-832. 被引量：8
-
4占俐琳,王英连,陈义川.氩气压强对TiO_2薄膜结构和电学性能的影响[J].中国陶瓷,2014,50(8):21-23.
-
5陈世达,林立,何先忠,许继宗,罗昌平,徐仲英.MBECdTe／GaAs光致发光研究[J].红外与毫米波学报,1995,14(3):189-194.
-
6张溪文,韩高荣.真空热蒸发碲化镉薄膜的结构组成和光电性能研究[J].真空科学与技术,2001,21(3):229-232. 被引量：4
-
7韦亚一,郑国珍,沈金熙,沈杰,郭少令,汤定元.低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应[J].Journal of Semiconductors,1995,16(4):263-267. 被引量：1
-
8黄传清,陈英杰.表面粗糙层对两圆柱体接触的影响[J].力学与实践,1997,19(4):29-31. 被引量：8
-
9王坤,傅刚,刘志宇.溅射氩气压强对AZO薄膜光电性能的影响[J].科技创新导报,2011,8(6):42-43. 被引量：1
-
10张希清,王永生,徐征,侯延冰,王振家,Ｚ．Ｋ．ＴＡＮＧ,汪河州,李伟良,赵福利,蔡志刚,周建英,徐叙瑢.CdTe/CdZnTe多量子阱激子复合动力学性质的研究[J].物理学报,1999,48(1):180-185. 被引量：2
