期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

英特尔3-D三栅极晶体管设计被美媒体评为2011年度科技创新奖

原文传递

导出

摘要 10月21日，《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极品体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。

出处《微电脑世界》 2011年第11期18-18,共1页 PC World China

关键词科技创新奖晶体管设计 3-D 英特尔栅极《华尔街日报》媒体管结构

分类号 TN948 [电子电信—信号与信息处理]

引文网络
相关文献

1英特尔3-D三栅极晶体管设计获评科技创新奖[J].世界电子元器件,2011(11):32-32.
2王鹤林,陈旅乐.计算机模拟设计技术在单片品体滤波器设计中的应用[J].压电晶体技术,1989(2):26-36.
3庞有为.强化统一多业务平台力助新联通[J].通信世界,2008(25):5-5.
4邓少光.未来的前端[J].有线电视技术,1996,0(4):13-15.
5马晶民.图解等离子彩电的电源电路维修技巧(上)[J].家电检修技术,2013(4):24-24.
6大电流的40A16VIN转换器[J].今日电子,2016,0(8):69-70.
7英飞凌新增650V RC—H5器件可降低高达30％的开关损耗[J].电子产品世界,2014,21(6):63-63.
8王丽英.硅片融合下的FPGA向更多应用领域扩展[J].今日电子,2012(6):27-27. 被引量：1
9大唐移动:引领TD-SCDMA产业发展[J].数据通信,2007(3):5-7.
10片上系统将使摩尔定律继续发挥作用[J].通信管理与技术,2009(2).

微电脑世界

2011年第11期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部