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3D封装TSV技术仍面临三个难题

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摘要 高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Mat-tNowak日前指出:在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出:业界对该技术价格和商业模式的争论,将成为这项技术未来发展的阻碍。
出处 《电子工业专用设备》 2011年第10期62-62,共1页 Equipment for Electronic Products Manufacturing
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