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3D封装TSV技术仍面临三个难题
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摘要
高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Mat-tNowak日前指出:在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出:业界对该技术价格和商业模式的争论,将成为这项技术未来发展的阻碍。
出处
《电子工业专用设备》
2011年第10期62-62,共1页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词
技术
3D封装
TSV
商业模式
高密度
低成本
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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电子工业专用设备
2011年 第10期
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