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3 - 14 XPS Study of Radiation Damage Created by Various Slow Highly Charged Heavy Ions on GaN Epitaxial Layers

3 - 14 XPS Study of Radiation Damage Created by Various Slow Highly Charged Heavy Ions on GaN Epitaxial Layers
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出处 《IMP & HIRFL Annual Report》 2010年第1期105-106,共2页 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报(英文版)
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