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Sb_2O_3和Bi_2O_3掺量对SnO_2薄膜电阻的影响
被引量:
1
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摘要
利用真空电子束蒸发的方法制备了 SnO_2薄膜,对膜的结构进行了分析,研究了 Sb_2O_3和 Bi_2O_3的掺加对 SnO_2薄膜电阻的影响.并对所得到的结果进行了分析和讨论。
作者
王雁
机构地区
北京玻璃研究所
出处
《仪表材料》
CSCD
1990年第1期18-20,共3页
关键词
薄膜
电阻
SNO2
SB2O3
BI2O3
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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