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Nichia和Cree半导体照明领域美国专利状况分析 被引量:4

The U.S. patent analysis in LED field of Nichia and Cree
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摘要 本文通过研究LED第一阵营内的日亚化学(Nicha)和科锐(Gree)在美国的专利布局情况发现:日亚化学和科锐近年来半导体照明领域美国专利申请量呈增加态势.其专利技术均集中在有势垒的半导体器件、制造或处理方法或设备、电极零部件等,但日亚化学还侧重发光材料,科锐更侧重单晶生长等。本文也研究了二者不同的专利策略,并点明可作为我国相关企业借鉴之处。 Based on the U.S. patent analysis in LED field of Nichia and Cree, we found that the LED U.S. patent application quantities of Nichia and Cree both have an increasing trend in recent years; their U.S. patent technologies mainly focused on semiconductor devices with energy barrier, methods or equipment of manufacturing or processing, electrode and other components, etc; but Nichia focused more on light-emitting materials, and Cree focused more on single crystal growth. This paper also analyzed different patent strategies of Nichia and Cree, and highlighted what Chinese related enterprises could learn from them.
作者 罗佳秀
出处 《中国集成电路》 2011年第11期82-87,共6页 China lntegrated Circuit
关键词 LED 专利分析 Nichia CREE LED patent analysis Nichia Cree
  • 相关文献

参考文献7

  • 1LED巨头掀起三大战役格局愈战愈明.LED环球在线.2009.9.15.
  • 2全球九大LED制造厂商基本情况及技术优势简介.OFweek半导体照明网.2010.9.20.
  • 3梁红兵.剖析LED芯片巨头日亚:封闭保守照明市场难风光.中国电子报.2010.7.6.
  • 4激怒有功之臣日亚化学工业陷入危机.日经BP社.2001.5.29.
  • 5邱晶晶.LED厂商之竞争策略分析-以Cree公司为例.台湾政治大学科技管理研究所硕士学位论文.
  • 6国家新材料行业生产力促进中心国家半导体照明工程研发及产业联盟.中国半导体照明产业发展报告.机械工业出版社.2005.
  • 7杨飞,郭金霞,罗佳秀.LED照明重点企业专利状况分析[J].中国集成电路,2011,20(2):87-93. 被引量:4

二级参考文献1

共引文献3

同被引文献25

  • 1骆云中,陈蔚杰,徐晓琳,等.专利情报分析与应用[M].上海:华东理工大学出版社,2007.
  • 2徐舒珞,苏勉曾.发光学与发光材料[M].北京:化学工业出版社,2004.546.
  • 3陈燕,黄迎燕,方建国,等.专利信息采集与分析[M].北京:清华大学出版社,2006:230-241.
  • 4MANASEVIT H M. Single -crystal GaAs on insulating substrates [J]. Appl Phys Lett, 1968, 12:156 -159.
  • 5AMANO H, KITO M, HIRAMATSU K, AKASAKI I. P - type con- duction in Mg - doped GaN treted with low - energy electron beam ir- radiation (LEEBI) [J]. Jpn J Appl Phys, 1989, 28:2112 -2114.
  • 6NAKAMURA S, MUKAI T, SENOH M. Candela- class high - brightness InGaN/AIGaN DH blue light - emitting diode [ J ]. Appl Phys Lett, 1994, 64 : 1687 - 1689.
  • 7NAKAMURA S, SENOH M, NAGAHAMA S, et al. Optical gain and carrier lifetime InGaN MQW structure laser diodes [ J ]. Appl Phys Lett, 1996, 69 : 1568 - 1570.
  • 8广东省LED产业发展“十二五”规划.
  • 9Manasevit H M. Single-crystal GaAs on insulating substrates [J]. Appl Phys Lett, 1968, 12: 156-159.
  • 10Amano H, Kito M, Hiramatsu K, et al. P-type conduction in Mg-doped GaN treted with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) [J]. Jpn J Appl Phys, 1989, 28: L2112-L2114.

引证文献4

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