期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
超快速串行闪存
下载PDF
职称材料
导出
摘要
65nm Spansion FL-S NOR闪存系列产品拥有更快速的双倍数据率(DDR)读取速度,以及三倍的编程速度。Spansion FL—S系列提供出色性能、汽车级温度范围,并且在某些应用领域可代替DRAM产品,
出处
《今日电子》
2011年第11期64-64,共1页
Electronic Products
关键词
串行闪存
SPANSION
超快速
NOR闪存
读取速度
编程速度
温度范围
DRAM
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
俊杰.
应对低功耗需求 奇梦达Mobile RAM抓住商机[J]
.电子设计应用,2007(12):135-135.
2
李敏.
转让90nm DRAM沟槽技术——英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代[J]
.电子测试(新电子),2006(2):86-86.
3
65nmSpansionFL—S:NOR闪存[J]
.世界电子元器件,2011(11):27-27.
4
Spansion公司推出业界最快串行闪存产品[J]
.半导体技术,2011,36(11):852-852.
5
海力士半导体DRAM产品获得ISi的Z-RAM存储技术授权[J]
.电子与封装,2007,7(9):43-44.
6
姚钢.
美光在上海面向全球市场开发DRAM产品[J]
.电子设计技术 EDN CHINA,2007,14(1):128-129.
7
丛秋波.
英飞凌将90纳米DRAM沟槽技术转让于中芯国际[J]
.电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(2):113-113.
8
全球最小的内存[J]
.中国质量万里行,2007(1):72-72.
9
海力士DRAM产品获得ISi的Z-RAM存锗技术授权[J]
.半导体技术,2007,32(9):828-828.
10
任萍.
嵌入式NAND Flash稳步起飞[J]
.电子与电脑,2005(5):57-60.
今日电子
2011年 第11期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部