美国MIT研究结果显示电子束光刻可以到达9纳米的精度

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摘要美国麻省理工学院（MIT）的研究人员日前发表的一项研究成果显示，电子束“光刻”精度可以小到9纳米的范围。刷新了以前一项精度为25纳米的结果，这一进展有可能为电子束“光刻”和EUV（超紫外）光刻技术展开竞争提供了动力。尽管EUV光刻技术目前在商业化方面领先一步。有可能在22纳米以下的工艺生产中取代目前使用的浸没式光刻技术，但EUV光刻还面临一些棘手的问题，

出处《集成电路通讯》 2011年第3期32-32,共1页

关键词美国麻省理工学院电子束光刻纳米精度显示 MIT EUV光刻光刻技术

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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