E系列：MOSFET

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摘要 Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积。

出处《世界电子元器件》 2011年第11期28-28,共1页 Global Electronics China

关键词 MOSFET 导通电阻栅极电荷 N沟道功率 Super 额定电流功率转换乘积

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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