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硅基磁电阻研究取得新进展
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摘要
清华大学材料科学与工程系章晓中教授近日在《自然》上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》,这也是中国首次以第一单位在Nature/Science杂志上刊登磁电阻领域的研究成果,是该领域中的一个重大突破。
机构地区
国家自然科学基金委员会
出处
《功能材料信息》
2011年第4期59-59,共1页
Functional Materials Information
关键词
低场磁电阻
硅基
材料科学与工程
《自然》
清华大学
研究成果
分类号
TM271 [一般工业技术—材料科学与工程]
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