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电-声相互作用对多层低维系统I-V特性的影响

The Influence to the I-V peculiarty of multi-layer low-dimnesional semiconductor system including electron-phonon coupling
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摘要 采用紧束缚方法对多层低维半导体系统在有电子与声子作用情况下的I-V特性进行了研究.对计算结果进行分析后,探讨了将此系统应用到集成电路中所产生的影响. The I-V peculiarty of muli-layer low-dimensional semicaonductor system including electron-phonon coupling intraction are investigated with the tight-binding method.After our results are assayed,the impact are discussed if the IC are made from the structure.
出处 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S2期41-48,共8页 Journal of Yunnan University(Natural Sciences Edition)
关键词 共振隧穿 势阱 击穿 哈密顿量 resonance tunneling the electron-phonon interaction tight-binding Hamiltonian
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献6

  • 1蔡敏,Phys B,1995年,212卷,10页
  • 2蔡敏,Phys Rev B,1994年,49卷,5429页
  • 3Liu Nianhua,J Phys Condens Matter,1993年,5卷,4期,623页
  • 4Tao Z C,Solid State Commun,1992年,81卷,717页
  • 5Kohmoto M,Phys Rev B,1987年,5卷,1020页
  • 6Esaki L,IBM J Res Dev,1970年,14卷,61页

共引文献4

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