期刊文献+

三星成功开发8Gbit闪存

下载PDF
导出
摘要 据《参考消息》2004年9月22日报道,韩国三星电子宣布,该公司在一项关键技术上取得了突破,将使计算机及像MP3播放器这样的移动设备获得更大的存储空间和更快的处理速度。这家在全球居领先地位的半导体制造商说,它开发出该行业的第一种采用60 nm工艺,容量为8Gbit的NAND闪存芯片。lnm相当于十亿分之一米。这种闪存芯片可以存储16小时DVD的音像数据,或4000个MP3声音文件。
出处 《电子元器件应用》 2004年第12期69-69,共1页 Electronic Component & Device Applications
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部