摘要
O462.4 2003032146钼尖场致发射阵列阴极的性能研究=Properties of Mofield emission arrays[刊,中]/冯进军(北京真空电子技术研究所.北京(100016)),丁明清…∥液晶与显示.—2002,17(1).—39-43利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流。
出处
《中国光学》
EI
CAS
2003年第3期72-73,共2页
Chinese Optics
