光电功能材料

O472.1 2003032309Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用=Study of the adsorption property to N2 on the surface of Ⅲ-Ⅴsemiconductor nanocrystals[刊,中]/王立民（山东大学微纳材料中心.山东,济南（250100））,刘振刚…∥人工晶体学报.—2002,31（4）.—350-353研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征。结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶。这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强。