摘要
TN312.8 2003010038有机发光器件中缺陷态行为表现=Actions of defect-statesin organic light emitting diodes[刊,中]/吴春亚(南开大学光电子所,国家教育部光电子信息技术科学重点实验室。天津(300071)),熊绍珍…//光电子·激光.-2002,13(5).-445-449对有机发光二极管(OLED)的I-V特性曲线,用有内建电场E_i的修正F-N模型,或陷阱电荷限制电流(TCL)模型进行了模拟分析,均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正F-N模型拟合。
出处
《中国光学》
EI
CAS
2003年第1期6-7,共2页
Chinese Optics
