摘要
O482.31 2000053654Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si低维应变材料的发光机理=Light emittingmechanism of Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si low-dimensionalstrained materials[刊,中]/韩伟华,余金中（中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室.北京（100083））//半导体光电.—1999,20（6）.—400-404间接带隙Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>
出处
《中国光学》
EI
CAS
2000年第5期98-98,共1页
Chinese Optics
