光放大、控制与器件

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摘要 TM836 2000010518 Monte Carlo方法在高倍增GoAs光电导开关模拟中的应用=Monte Carlo simulation of high-gain GaAs photoeonduetive semieonduetor switehes〔刊,中〕/施卫,梁振先,冯军(西安交通大学.

出处《中国光学》 EI CAS 2000年第1期79-80,共2页 Chinese Optics

关键词微通道板防离子反馈膜行波半导体光放大器光电导开关西安交通大学器件锁定效应新工艺微光夜视仪红外探照灯

分类号 TM564 [电气工程—电器]

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1吴克勤,支婷婷.高电压,低暗电流硅光电导开关及其应用[J].上海科技大学学报,1992,15(4):18-22. 被引量：2
2Tria.,CP,李熙.用于AC电路保护的光电导开关[J].国外计量,1991(5):44-47.
3施卫,梁振宪,冯军.Monte Carlo 方法在高倍增 GaAs 光电导开关模拟中的应用[J].西安交通大学学报,1998,32(4):1-3. 被引量：4
4崔鸿兴.红外探照灯的新型结构[J].光学技术,1993,19(2):27-31. 被引量：1
5叶秋波.静电场数值计算的Monte Carlo方法[J].华北电力学院学报,1989(1):66-72. 被引量：1
6光放大、控制与器件[J].中国光学,1999(5):74-75.
7孙侃,刘继芳,孙艳玲.激光触发GaAs光电导开关非线性现象的实验研究[J].电子科技,2009,22(3):83-86.
8光放大、控制与器件[J].中国光学,1999(3):62-64.
9郑槐.新一代电力电子器件——IGBT[J].现代电子,1996(2):50-57. 被引量：1
10施卫,梁振宪,徐传骧.高倍增 GaAs 光电导开关的设计与研制[J].西安交通大学学报,1998,32(8):19-23. 被引量：8

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