摘要
O644.18 2000020996Ar<sup>+</sup>激光诱导湿刻Si的特性研究=Properties ofAr<sup>+</sup> laser-induced wet etching into Si[刊,中]/宋登元,郭宝增,李宝通（河北大学电子与信息工程系.河北,保定（071002））//激光技术.-1999,23（3）.-190-193利用聚焦的Ar<sup>+</sup>激光束诱导的方法,实现了对浸入HF:H<sub>2</sub>O（1:20）腐蚀液中的N型单晶Si样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是-由光生电子-空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构。
出处
《中国光学》
EI
CAS
2000年第2期37-37,共1页
Chinese Optics
