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功率半导体——要求通态电阻更低工作电压更高的新器件
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摘要
在过去的三年里,功率半导体有三项进步:IGCT替代GTO,功率MOSFET的R_(DS)(on)大大降低以及在高电压应用领域中IEGT有可能替代IGBT。
作者
J.M.Peter
彭海霞
机构地区
法
出处
《大功率变流技术》
2000年第1期29-32,共4页
HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY
关键词
导通损耗
工作电压
GTO
IGBT
MOSFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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大功率变流技术
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