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高真空制备超纯晶体

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摘要高真空制备超纯晶体电子要穿越半导体，其速度与晶体纯度密切相关：材料内杂质越少，电子流动的速度越快。一研究小组已将此经验法则应用于砷化镓（ＧａＡｓ）晶体，该半导体材料被用在ＣＤ机的激光元件上。通过制备比以前晶体纯度高２５％的ＧａＡｓ，该小组创下了电子速...

作者刘宜

出处《中国科教创新导刊》 1998年第8期37-37,共页 CHINA EDUCATION INNOVATION HERALD

关键词高真空布卢姆电子流动超纯原子的热振动纯晶体砷化镓电子器件杂质原子阻碍效应

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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中国科教创新导刊

1998年第8期

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