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线宽达0.08微米

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摘要线宽达００８微米目前最先进的商用半导体图样是用０２５微米的加工技术制出的，而半导体工业协会根据来自工业界、政府部门和大学３００名科研人员的共同研究所设计的方案，要求公元２００９年实现００８微米线宽的目标。得克萨斯大学的重大突破之所以引人注目，是...

作者樊荣

出处《中国科教创新导刊》 1998年第8期41-41,共页 CHINA EDUCATION INNOVATION HERALD

关键词光掩模光敏抗蚀剂得克萨斯半导体片半导体工业协会步进器相移掩模光相互作用研究成就制造集成

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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中国科教创新导刊

1998年第8期

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