超微细加工及设备

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摘要 TN305 96010658Si电光开关电极的反应离子刻蚀=Reactive ionetching of Si electro—optical switch elec-trodes[会,中]/赵长威,陈纪瑛,刘育梁(中科院半导体所国家光电子工艺中心)∥第六届纤维光学集成光学学术会议。—成都,94.

出处《中国光学》 EI CAS 1996年第1期94-95,共2页 Chinese Optics

关键词集成光学离子束刻蚀纤维光学反应离子刻蚀中科院学术会议电光开关电子工艺超微细加工离子刻蚀技术

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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1吴德馨.迈向二十一世纪的集成电路技术[J].世界产品与技术,2000(4):5-6.
2田扬赵,洪义麟,付绍军,阚娅,陶晓明,胡一贯.深度同步辐射光刻研究[J].科学通报,1995,40(1):83-85.
3罗乐,麻晓敏,李建设,黄英,邓善熙.飞秒激光和大功率激光的发展与应用[J].合肥工业大学学报（自然科学版）,2005,28(12):1610-1613.
4超微细加工及设备[J].中国光学,1996(5):93-95.
5邢玉良.等离子刻蚀技术综述[J].电子世界,2017,0(8):52-52.
6任延同.离子刻蚀技术现状与未来发展[J].光学精密工程,1998,6(2):7-14. 被引量：11
7超微细加工及设备[J].中国光学,1994(4):99-100.
8高晓萍.超微细加工技术的动向[J].光机电信息,1995,12(7):4-7.
9板谷太郎,江涛.超高速光电开关——扫描隧道显微镜超微细加工技术的新发展[J].红外,1997(8):6-10.
10武汉光迅科技有限公司[J].光通信技术,2003,27(5):56-56.

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