摘要
TN215 96021271 Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si超晶格红外探测器最佳结构=Optimumstructure of Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si superlattice infraredderectors[刊,中]/李国正,张浩（西安交通大学电子工程系。陕西,西安（710049））∥半导体光电。—1995,16（3）。—242——244 通过对Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>超晶格机理的研究,算出了Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。图4参6（任延同）
出处
《中国光学》
EI
CAS
1996年第2期81-82,共2页
Chinese Optics
