摘要
O484.1 96031839准分子激光诱导CVD淀积低电阻率SnO<sub>2</sub>薄膜=SnO<sub>2</sub> thin film of low resistivity formed by excimerlaser induced CVD[刊,中]/张健,王庆亚,郑伟,赵方海,张玉书（吉林大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室吉林大学分区.吉林,长春（130023））//吉林大学自然科学学报.-1995,（4）.-71-73采用准分子激光诱导CVD淀积SnO<sub>2</sub>透明导电薄膜,并在其生长过程中进行掺杂Sb的实验,研究了薄膜生长速率及薄膜电阻率与激光能量密度的关系,得到了电阻率为1.49×10<sup>-3</sup>Ω.cm的高质量的SnO<sub>2</sub>
出处
《中国光学》
EI
CAS
1996年第3期63-65,共3页
Chinese Optics
