摘要
TN305.7 96053453Si在SF<sub>6</sub>+N<sub>2</sub>中反应离子刻蚀及其剖面的研究=Study on reactive ion etching of Si with SF<sub>6</sub>+N<sub>2</sub> and its profile[刊,中]/程美乔,周帆,赵长威（国家光电子工艺中心,中科院半导体研究所.北京（100083））∥微细加工技术.—1995,（1）.
出处
《中国光学》
EI
CAS
1996年第5期93-95,共3页
Chinese Optics
