CeO_2绝缘材料

随着超大型集成电路的发展,需要选用介电性能合适的薄膜材料来制备微型电容器。以前,制备这种电容器所用的材料SiO2和Ta2O5本身存在着很多问题。最近日本科研人员以CeO2作为薄膜绝缘材料进行了试验,并对其电性能作了报道。 CeO2的化学稳定性好,介电常数高（为26）,因而是最具吸引力的绝缘材料之一。用电子束蒸发技术可将CeO2沉积在硅片上,制成高质量的薄膜。预计这种以CeO2/Si型结构制成的稳定电容器,将不仅用于超大型集成电路中,也可用于超导材料缓冲层中。