低通态电阻的高压(>1K\)碳化硅肖特基势垒二极管

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摘要以步控外延工艺来生长多层膜的方法成功地制成了一种具有高阻断电压的Au/6H-SiC型肖特基势垒二极管。其击穿电压高于1100V,这是碳化硅肖特基势垒二极管迄今报导过的最高电压。这类高压SiC整流器的通态电阻率低于硅整流器理论极限值一个数量级以上。该通态电阻率按 T^(2·0)关系随温度升高而增加。这类二极管在400℃时特性良好。

作者 Tsunenobu Kimoto 姚永康

机构地区日

出处《大功率变流技术》 1994年第6期31-33,共3页 HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY

关键词二极管晶体管工艺

分类号 TN312 [电子电信—物理电子学]

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大功率变流技术

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