NSC和东芝签订合作协议共同发展连续存储器技术

美国国家半导体公司(NSC)最近宣布和东芝签订合作协议,联手进军速闪存储器市场,根据协议,两家公司将开展一项为期十年的合作计划,包括开发、设计、生产以及取得许可证,经营业务。 基于此项协议,NSC准备向市场推出一系列元件。该公司将于一九九三年第三季推出1M、4M和16M的工程样本,其中1M和4M元件属于NOR类型,而16M则属于NAND类型。NSC的设计中心目前正在开发512K、2M以及8M NOR型的速闪存储器元件。 “NSC的策略是集中设计专门应用系统,而速闪存储器在这类系统中是决定性的技术,更是整个解决方案中极为重要的一环”。NSC的存储器产品部的副总裁兼总经理Bami Bastani博士说。NSC会专注发展16M以上密度的NAND型元件,因为NAND元件在高密度生产时的成本效益较高,而且能够在单一5V电源下工作。