B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应

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摘要显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.

作者曾庆城王水风罗房芳

机构地区南昌大学应用物理所

出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期79-81,共3页 Journal of Xiamen University：Natural Science

基金江西省自然科学基金国家自然科学基金

关键词离子注入铁硼离子对横向增强扩散

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厦门大学学报（自然科学版）

1993年第S2期

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