双光束瞬态光伏谱测量半导体深能级

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摘要提出一种测量半导体深能级的新方法——双光束瞬态光伏谱.与目前测量深能级通常采用的方法DLTS相比,具有两个突出的优点,对被测样品无破坏性和可直接测量单晶的深能级.测量了掺金硅单晶和电子辐照硅单晶的深能级,结果与公认值完全符合.

作者朱文章沈顗华刘士毅

机构地区集美航海学院物理室厦门大学物理学系

出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期95-96,共2页 Journal of Xiamen University：Natural Science

关键词深能级光伏谱双光束

参考文献1

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厦门大学学报（自然科学版）

1993年第S2期

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