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X射线辐照对PN结反向特性的影响 被引量:1

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摘要 核辐照对半导体器件有加固作用已经被实践所证实.本文着重探讨一定剂量的X射线对2CK系列开关二极管和GaAs_(0 15)P_(0.05):N为材料的黄色LED的辐照作用,发现它有助于提高其反向击穿电压,认为这是结区内自由载流子浓度的减少,PN结宽度增加引起的.
出处 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期301-303,共3页 Journal of Xiamen University:Natural Science
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献7

  • 1刘英坤,赵丽华.功率MOSFET抗辐照性能初探[J].微电子学与计算机,1989,6(12):23-27. 被引量:1
  • 2田汝超,1988年
  • 3王忠安,电子学报,1988年,16卷,2期,125页
  • 4陆坊,物理学报,1987年,36卷,6期,745页
  • 5赖启基,核技术,1986年,6期,14页
  • 6包宗明,半导体器件的核辐射加固,1985年
  • 7许忠祥,电力电子技术

共引文献5

同被引文献2

引证文献1

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