ZnSe—ZnS应变层超晶格的激子发光和强激发效应

利用光致发光和吸收光谱测量研究了ZnSe—ZnS 多量子阱(MQW)应变层超晶格(SLS)的激子特性,这种 MQW SLS 是用低压有机金属化学汽相沉积技术在(100)ZnS 和 GaAs 衬底上制备的。用氮分子脉冲激光器增加激发强度,发现主要的激子带向更高光子能量的方向偏移。为了了解激子的分离机制,测量了温度与线宽及强激发下发射强度的关系。根据激子散射所起的作用,从三个方面分析了线宽与温度的关系;这三种激子散射分别与 LO、声预声子和施主杂质有关。激子热释放的激活能量约为71meV,该值非常接近于4E_B,D(块状 ZnSe的结合能 E_B,D=19meV)。