光助OMVPE法生长ZnSe的发光和电学特性

用光致发光和 Hall 效应测量确定了用光助(氙灯)OMVPE 法在 GaAs 上生长 ZnSe外延层的特性,在照射条件下生长的非故意掺杂外延层具有 n 型导电性,电子浓度为10^(16)-10^(17)cm^(-3)。造成这种现象的原因是波长为400<λ<800nm 的辐照使外延层与残留的或故意掺入的施主杂质的结合得到了很大的增强,尽管这种辐照对生长速率的增快并无很大影响。为了获得纯度更高的外延层,λ<400nm 的辐射是最理想的.然而,如果在外延生长过程中采用更纯的源材料,就可以利用400<λ<800nm 辐射来避免残余杂质的引入,而且可将这种现象应用于更理想的掺杂技术。