外延生长ZnSe/GaAs中剩余应力对激子发光线劈裂的影响

宽禁带Ⅱ—Ⅵ族化合物,例如 ZnSe 和ZnS 是用于发蓝光的光电子学器件的有前景的材料,但却很难实现对 p—型电导的控制,这主要是生长在不同衬底材料上的外延层内的晶格失配导致的晶格缺陷所致。本文报导的是 GaAs 衬底上生长的 ZnSe外延层中剩余应力的实验结果。