常压有机金属气相外延GaAs的选择生长

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摘要用 TMG,AsH3和 AsCl3作气体源实现了常压有机金属气相外延 GaAs 的完全选择外延。在650—750℃的生长了温度观察下选择能力。Si3N4或 W 膜上多晶沉积的屏蔽层是由膜上的 HCl 吸收引起的,从而避免了GaAs 的成核现象。在窗口部分,生长速率可以通过控制 TMG/AsCl3

作者师庆华

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第4期32-33,共2页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

关键词气相外延有机金属成核现象选择外延选择能力体源屏蔽层掩膜分子束外延扩散长度

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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1991年第4期

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