用MOMBE法生长碳重掺杂p型GaAs PN结二极管

制备了用 MOMBE 法生长的碳重掺杂 p型 GaAs p—n 结二极管。虽然结上的晶格失配产生了不理想位错,但 I—V 和 C—V特性没有明显地受到 p—GaAs 空穴浓度的影响,即使用空穴浓度高达5×1020cm-3的掺碳 GaAs 材料也同样得到了理想系数为1.3的良好的 I—V 特性。用 EBIC