Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性

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摘要现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了AlGaAs-GaAs超晶格结构.从此各种类型的半导体超晶格不断出现,但都集中在Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的生长及光电特性的研究。1982年Osboum提出了应变超晶格的概念,

作者范希武申德振

机构地区中国科学院长春物理研究所

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第S1期54-62,共9页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

关键词光学特性超晶格结构激子 Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱光学非线性薄膜生长宽禁带半导体双稳非线性光学材料

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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