摘要
4.6 工业用SiC砂的氧化实验通过前面进行的SiC砂氧化实验基本说明了所给出的SiC材料的钝化对黑化趋势的影响。SiC的氧化机理即它的活性和钝态氧化已在有关文献中详细讨论过。而且,SiO<sub>2</sub>钝化层形成的动力,如f（T,Po<sub>2</sub>,PH<sub>2</sub>O）也在一些文献中作了讨论。在这些实验中,大都采用高纯SiC晶体,通过热重分析,确定SiO<sub>2</sub>钝化层的增厚并以此说明氧化增重。许多实验目的,在于研究Si掺杂SiC钝化层的生长动力,作为SiC氧化时的依据。在显微镜下,找到了形成良好（0001）面的SiC晶体,为了清除残余的SiO<sub>2</sub>,颗粒经过HF/H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>混合液处理,将它在1430℃氧化气氛中分别煅烧1、3、16和24小时。
出处
《工业技术与职业教育》
1990年第4期26-29,共4页
Industrial Technology and Vocational Education
