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n-型SrTiO_3半导瓷非线性Ⅴ-Ⅰ关系研究——Ⅱ非线性Ⅴ-Ⅰ关系的定量计算

A Study of the Nonlinear V-I Characteristics for n-type SrTiO_3 Semiconducting Ceramics Ⅰ Deriving quantitatively the nonlinear V-I Characteristics
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摘要 本文在文“n-型S_rT_iO_3半导瓷非线性V-I关系定性描述”的基础上,对n-型S_rT_iO_3半导瓷非线性V-I特性曲线上3个特征区的电压电流关系作了定量推导和计算。对计算结果与实验结论作了比较,给出不超过3%的最大误差。 Based on Literature[1], the conduction mechanisms of the three regions within the nonlinear Ⅴ-Ⅰ characteristics for n-type SrTiO_3 Semiconducting ceramics are emphatically discussed. The maximum error of the deducing results is not larger than 3% as compared to the experimental ones.
作者 华渊
出处 《石家庄铁道大学学报(自然科学版)》 1990年第4期51-60,共10页 Journal of Shijiazhuang Tiedao University(Natural Science Edition)
关键词 S<sub>r</sub>T<sub>i</sub>O<sub>3</sub> 半导瓷 非线性V-I特性 SrTiO_3 semieonducting ceramics nonlinear Ⅴ-Ⅰ characteristics
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参考文献2

二级参考文献1

  • 1华渊,胡宗民.晶界层陶瓷电容器[J]硅酸盐通报,1987(01).

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