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V_(BE)温度特性质疑

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摘要本文从理论与实验两方面对目前人们普遍认可的I_B-V_(BE)温度持性提出疑点,指出了现有的证明方法起码是不完善的。

作者程正务

机构地区安徽机电学院

出处《电气电子教学学报》 1990年第4期21-24,共4页 Journal of Electrical and Electronic Education

关键词证明方法 BE 发射结饱和电流伏安特性正温度系数理论分析参变锗半导体外加电压

分类号 TN-4 [电子电信]

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电气电子教学学报

1990年第4期

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