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提高硅基合金成品率问题的探讨
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摘要
本文通过对硅基合金提拉生长工艺参数的改进,提出采用在氩气下进行熔化,选择合适的保温、加热系统的在保证硅基合金电阻率合格的前提下,使掺杂量尽可能减至最小,选择合适的坩埚位置,采用变速成锭法、保温度、防突变、缓慢跟踪等措施,从而解决硅溅、放肩、垂直生长难以控制、硅基合金强度差、易脆,经切、磨、抛后的硅基片易崩边等问题。
作者
胡缨
机构地区
长沙半导体材料厂
出处
《湖南有色金属》
CAS
北大核心
1990年第3期61-61,共1页
Hunan Nonferrous Metals
关键词
硅基片
崩边
防突
真空熔化
工艺参数
圆片
加热系统
提拉
电力半导体器件
晶体生长
分类号
TF80 [冶金工程—有色金属冶金]
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