Si基衬底上生长的HgCdTe红外阵列

Santa Barbara研究中心(Goleta,CA)的研究人员已在CdZnTe/GaAs/Si衬底上制作出128×128象元的HgCdTe红外探测阵列(灵敏度在20～60μm)。这一成就被认为是迈向生产低成本大面积可靠焦平面阵列的重要一步。据参加该项研制工作的Scott Johnson说,以前的技术是将探测器生长到大块单晶体CdZnTe衬底上。那些衬底易破碎,尺寸小于30cm^2。而将硅作为基底材料。